元件尺寸(單位:mm) | ||
外徑 | 內(nèi)徑 | 厚度 |
Φ20 | - | 1.43 |
適用于超聲霧化。
2.1 頻率: Fst=1.4MHz
2.2 靜態(tài)電容: CT=1250pF±12.5%
2.3 誘電損失: tanδ=max.0.5%
2.4 壓電應變常數(shù):d33≥300P/N
測試環(huán)境:at 25℃±5℃,60%R.H
測試條件:at 1KHz,1Vrms
元件尺寸(單位:mm) | ||
外徑 | 內(nèi)徑 | 厚度 |
Φ15.8 | Φ8 | 0.6 |
適用于超聲霧化。
2.1 頻率: Fr=89.5KHz
2.2 靜態(tài)電容: CT=3100pF±13%
2.3 誘電損失: tanδ=max.0.4%
2.4 機電耦合系數(shù):Kp≥0.38
測試環(huán)境:at 25℃±5℃,60%R.H
測試條件:at 1KHz,1Vrms
元件尺寸(單位:mm) | ||
外徑 | 內(nèi)徑 | 厚度 |
Φ16 | - | 0.87 |
廣泛應用于超聲霧化。
2.1 頻率: Fst=2.4MHz
2.2 靜態(tài)電容: CT=1500pF±12.5%
2.3 誘電損失: tanδ=max.0.5%
2.4 壓電應變常數(shù):d33≥300P/N
測試環(huán)境:at 25℃±5℃,60%R.H
測試條件:at 1KHz,1Vrms
元件尺寸(單位:mm) | ||
外徑 | 內(nèi)徑 | 厚度 |
Φ20 | - | 1.21 |
廣泛應用于超聲霧化。
2.1 頻率: Fst=1.7MHz
2.2 靜態(tài)電容: CT=1800pF±10%
2.3 誘電損失: tanδ=max.0.5%
2.4 壓電應變常數(shù):d33≥300P/N
測試環(huán)境:at 25℃±5℃,60%R.H
測試條件:at 1KHz,1Vrms
元件尺寸(單位:mm) | ||
外徑 | 內(nèi)徑 | 厚度 |
Φ20 | - | 1.43 |
適用于超聲霧化。
2.1 頻率: Fst=1.4MHz
2.2 靜態(tài)電容: CT=1250pF±12.5%
2.3 誘電損失: tanδ=max.0.5%
2.4 壓電應變常數(shù):d33≥300P/N
測試環(huán)境:at 25℃±5℃,60%R.H
測試條件:at 1KHz,1Vrms
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